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KM616FS2000RI-12

更新时间: 2024-09-22 07:13:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 696K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44

KM616FS2000RI-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:2.3/3.3 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:1.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KM616FS2000RI-12 数据手册

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