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KM616FR1000ZI-30

更新时间： 2024-11-10 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
2页	146K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48

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KM616FR1000ZI-30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	300 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8/2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.81 mm	最大待机电流：	0.000005 A
最小待机电流：	1.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM616FR1010AFI-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, FBGA-48
KM616FR1010AFI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, FBGA-48
KM616FR1010T-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM616FR1010TI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM616FR1010ZI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM616FR2000RI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 300ns, CMOS, PDSO44
KM616FR2000ZI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 300ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM616FR4010ZI-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM616FR4110ZI-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM616FS1000R-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44