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K9F2G08U0M-PIB0 PDF预览

K9F2G08U0M-PIB0

更新时间： 2024-01-30 08:58:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
42页 1074K
描述
Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48,

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K9F2G08U0M-PIB0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
最长访问时间：30 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e6内存密度：2147483648 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3部门数/规模：2K
端子数量：48字数：268435456 words
字数代码：256000000最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：2K words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：128K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPEBase Number Matches：1

K9F2G08U0M-PIB0 数据手册

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K9K4G08U1M  
K9F2G08U0M  
FLASH MEMORY  
K9XXG08UXM  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,  
AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.  
NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,  
EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED  
ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.  
1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.  
2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar  
applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or  
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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
1
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K9F2G08U0M-PIB0 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NAND02GW3B2CN6E NUMONYX

功能相似

 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

与K9F2G08U0M-PIB0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F2G08U0M-PIB0T SAMSUNG

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