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K9F2G08U0M-YCB0 PDF预览

K9F2G08U0M-YCB0

更新时间： 2024-01-05 13:50:44
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
42页 1074K
描述
Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48

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K9F2G08U0M-YCB0 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
最长访问时间：30 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
内存密度：2147483648 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
部门数/规模：2K端子数量：48
字数：268435456 words字数代码：256000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：2K words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：128K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPEBase Number Matches：1

K9F2G08U0M-YCB0 数据手册

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K9K4G08U1M  
K9F2G08U0M  
FLASH MEMORY  
K9XXG08UXM  
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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,  
EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL  
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1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F2G08U0M-YCB00 SAMSUNG

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