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K9F3208U0B-TIB0

更新时间： 2024-01-27 22:21:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	347K
描述
Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.8 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

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K9F3208U0B-TIB0 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
长度：	18.41 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	40
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K9F3208U0B-TIB0 数据手册

Advanced Information

FLASH MEMORY

K9F3208U0B-TCB0, K9F3208U0B-TIB0

Document Title

4M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

July 17th 2000

Advanced

Information

1. Changed the following items

ITEM

Before(A-die)

2.7V~5.5V

VccQ

After(B-die)

2.7V~3.6V

Vcc

Voltage Supply

Pin Configuration(23th Pin)

Absolute maximum Ratings

- Voltage on any pin

relative to Vss

Vin : -0.6V to 6V

Vcc : -0.6V to 4.6V

VccQ : -0.6V to 6V

Vin : -0.6V to 4.6V

Vcc : -0.6V to 4.6V

Recommended operating

conditions

VccQ : 2.7V(Min.)

/ 5.5V(Max.)

Do not support VccQ

- Supply voltage

I/O pins : 2.0V(Min.)

VccQ+0.3V(Max.)

DC and operating characteristics

All inputs : 2.0V(Min.)

/ Vcc+0.3V(Max.)

- Input high voltage(VIH)

Except I/O pins :

2.0V(Min.) /

Vcc+0.3V(Max.)

Input and output timing levels

0.8V and 2.0V

1.5V

2. Changed invalid block(s) marking method prior to shipping

- The invalid block(s) information is written the 1st or 2nd page of the

invalid block(s) with 00h data

--->The invalid block(s) status is defined by the 6th byte in the spare

area. Samsung makes sure that either the 1st or 2nd page of every

invalid block has non-FFh data at the column address of 517.

3. Changed endurance : 1million ->100K program/erase cycles

4. Changed SE pin description

- SE is recommended to coupled to GND or Vcc and should not be

toggled during reading or programming.

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

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