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K9F4G08U0A-ICB00

更新时间： 2024-01-05 19:13:02

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
43页	1140K
描述
Flash, 512MX8, 20ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1.00 MM PITCH, ULGA-52

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K9F4G08U0A-ICB00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LGA	包装说明：	12 X 17 MM, 1.00 MM PITCH, ULGA-52
针数：	52	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	20 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B52
长度：	17 mm	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	4K
端子数量：	52	字数：	536870912 words
字数代码：	512000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VBGA	封装等效代码：	LGA52(UNSPEC)
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
页面大小：	2K words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	0.65 mm	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	2 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

K9F4G08U0A-ICB00 数据手册

Preliminary

FLASH MEMORY

K9K8G08U1A

K9F4G08U0A

K9XXG08UXA

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K9F4G08U0A-IIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX8, 20ns, PBGA52
K9F4G08U0A-IIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX8, 20ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1.00 MM PITCH, ULGA-52
K9F4G08U0A-P	SAMSUNG	获取价格	FLASH MEMORY
K9F4G08U0A-PCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX8, 20ns, PDSO48,
K9F4G08U0A-PCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9F4G08U0A-PCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX8, 25ns, PDSO48
K9F4G08U0A-PIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX8, 20ns, PDSO48
K9F4G08U0A-PIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9F4G08U0A-PIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9F4G08U0B-ICB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX8, 25ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ULGA-52

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