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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP1, TSSOP48,.8,20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 25 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 4294967296 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 4K | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 536870912 words | 字数代码： | 512000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 页面大小： | 2K words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 128K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | SLC NAND TYPE | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F4G08U0D-SIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K9F4G08U0M | SAMSUNG |
获取价格 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
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| K9F4G08U0M-ICB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 512MX8, 25ns, PBGA52 |
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| K9F4G08U0M-ICB00 | SAMSUNG |
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Flash, 512MX8, 20ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ULGA-52 |
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| K9F4G08U0M-IIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 512MX8, 25ns, PBGA52 |
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| K9F4G08U0M-PCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 512MX8, 25ns, PDSO48 |
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| K9F4G08U0M-PCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 512MX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| K9F4G08U0M-PCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 512MX8, 25ns, PDSO48, |
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| K9F4G08U0M-PIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 512MX8, 25ns, PDSO48 |
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| K9F4G08U0M-PIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 512MX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 |
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