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K9F5608B0DJCB000

更新时间： 2024-02-06 09:58:50

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	847K
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Flash, 32MX8, 45ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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K9F5608B0DJCB000 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	11 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63	针数：	63
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
长度：	11 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NAND TYPE
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

K9F5608B0DJCB000 数据手册

K9F5608R0D

K9F5608U0D

FLASH MEMORY

K9F5608B0D

K9F5608X0D

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K9F5608B0D-JCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63
K9F5608B0D-JIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608B0D-PCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48
K9F5608B0D-PCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608B0DPIB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608B0D-PIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48
K9F5608D0C	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0C-D	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0C-DCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63,
K9F5608D0C-DCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63

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