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K9F5608B0D-JCB0T

更新时间： 2023-06-15 00:00:00
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三星 - SAMSUNG 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 846K
描述
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63

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K9F5608B0D-JCB0T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最长访问时间：30 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B63
JESD-609代码：e3内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：1部门数/规模：2K
端子数量：63字数：33554432 words
字数代码：32000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装等效代码：BGA63,10X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH页面大小：512 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：2.7 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：16K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA标称供电电压 (Vsup)：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NOBase Number Matches：1

K9F5608B0D-JCB0T 数据手册

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K9F5608R0D  
K9F5608U0D  
FLASH MEMORY  
K9F5608B0D  
K9F5608X0D  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,  
AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.  
NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,  
EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL  
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defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F5608B0D-JIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608B0D-PCB0 SAMSUNG

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K9F5608B0D-PCB00 SAMSUNG

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