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K9F5608B0D-JCB00

更新时间： 2024-01-09 02:51:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	846K
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Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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K9F5608B0D-JCB00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA63,10X12,32
针数：	63	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.83	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	长度：	11 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	2K	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA63,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.7 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

K9F5608B0D-JCB00 数据手册

K9F5608R0D

K9F5608U0D

FLASH MEMORY

K9F5608B0D

K9F5608X0D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F5608B0DJCB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608B0D-JCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63
K9F5608B0D-JIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608B0D-PCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48
K9F5608B0D-PCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608B0DPIB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608B0D-PIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48
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K9F5608D0C-D	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0C-DCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63,

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