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K9F5608B0D-JCB00

更新时间： 2024-11-25 19:57:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 846K
描述
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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K9F5608B0D-JCB00 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：VFBGA, BGA63,10X12,32
针数：63Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.83最长访问时间：30 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B63长度：11 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：2K端子数量：63
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA63,10X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小：512 words
并行/串行：PARALLEL电源：2.7 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1 mm
部门规模：16K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.9 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：2.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM切换位：NO
类型：NAND TYPE宽度：9 mm
Base Number Matches：1

K9F5608B0D-JCB00 数据手册

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K9F5608R0D  
K9F5608U0D  
FLASH MEMORY  
K9F5608B0D  
K9F5608X0D  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,  
AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.  
NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,  
EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
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1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.  
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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F5608B0DJCB000 SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 45ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608B0D-JCB0T SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63
K9F5608B0D-JIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
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