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K9F4G08U0M-PIB0T

更新时间： 2024-02-24 16:15:13
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 1138K
描述
Flash, 512MX8, 25ns, PDSO48

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K9F4G08U0M-PIB0T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
最长访问时间：25 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3内存密度：4294967296 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：1部门数/规模：4K
端子数量：48字数：536870912 words
字数代码：512000000最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：2K words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：128K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPEBase Number Matches：1

K9F4G08U0M-PIB0T 数据手册

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K9K8G08U1M  
K9F4G08U0M  
FLASH MEMORY  
K9XXG08UXM  
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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.  
NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,  
EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL  
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2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar  
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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
1
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