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K9F2G08U0M-YIB00

更新时间： 2024-11-25 15:43:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
41页 1018K
描述
Flash, 256MX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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K9F2G08U0M-YIB00 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.6最长访问时间：20 ns
其他特性：CONTAINS ADDITIONAL 64M BIT NAND FLASH命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：2147483648 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
部门数/规模：2K端子数量：48
字数：268435456 words字数代码：256000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：2K words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

K9F2G08U0M-YIB00 数据手册

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K9K4G08U1M  
K9F2G08U0M K9F2G16U0M  
FLASH MEMORY  
Document Title  
256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit / 512M x 8 Bit NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
1. Initial issue  
Sep. 19.2001  
Advance  
Nov. 22. 2002  
Preliminary  
1. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs Ibusy graph for 1.8V device (Page 34)  
2. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about  
1.1V. (Page 35)  
Mar. 6.2003  
Apr. 2. 2003  
Preliminary  
Preliminary  
0.2  
0.3  
The min. Vcc value 1.8V devices is changed.  
K9F2GXXQ0M : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V  
Few current value is changed.  
Before  
Unit : us  
K9F2GXXU0M  
K9F2GXXQ0M  
Typ.  
Max.  
100  
±20  
±20  
Typ.  
Max.  
100  
±20  
±20  
ISB2  
20  
-
20  
-
ILI  
ILO  
-
-
After  
K9F2GXXQ0M  
K9F2GXXU0M  
Typ.  
Max.  
50  
Typ.  
Max.  
50  
ISB2  
ILI  
10  
-
10  
-
±10  
±10  
±10  
±10  
ILO  
-
-
0.4  
1. The 3rd Byte ID after 90h ID read command is don’t cared.  
The 5th Byte ID after 90h ID read command is deleted.  
2. Note is added.  
Apr. 9. 2003  
Preliminary  
(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for  
durations of 20 ns or less.)  
3. Pb-free Package is added.  
K9F2G08Q0M-PCB0,PIB0  
K9F2G08U0M-PCB0,PIB0  
K9F2G16U0M-PCB0,PIB0  
K9F2G16Q0M-PCB0,PIB0  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right  
to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have  
any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.  
1
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与K9F2G08U0M-YIB00相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F2G08U0M-YIB0T SAMSUNG

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 		Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48
K9F2G08UXA SAMSUNG

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 		FLASH MEMORY
K9F2G16Q0M SAMSUNG

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