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K9F2G08U0A-PIB0

更新时间： 2024-11-25 15:44:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	999K
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Flash, 256MX8, 20ns, PDSO48,

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K9F2G08U0A-PIB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	20 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e6
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
部门数/规模：	2K	端子数量：	48
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	2K words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	SLC NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9F2G08U0A-PIB0 数据手册

K9F2G08R0A

K9F2G08U0A

FLASH MEMORY

K9F2G08UXA

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F2G08U0A-PIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP1-48
K9F2G08U0B	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2G08U0B-P	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2G08U0C	SAMSUNG	获取价格	2Gb C-die NAND Flash
K9F2G08U0C-H	SAMSUNG	获取价格	2Gb C-die NAND Flash
K9F2G08U0C-S	SAMSUNG	获取价格	2Gb C-die NAND Flash
K9F2G08U0C-SCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F2G08U0C-SIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F2G08U0M	SAMSUNG	获取价格	FLASH MEMORY
K9F2G08U0M-ICB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, 30ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ULGA-52

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