是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP48,.8,20 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.82 | 最长访问时间: | 30 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 2K | 端子数量: | 48 |
字数: | 268435456 words | 字数代码: | 256000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小: | 2K words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 128K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Bismuth (Sn97Bi3) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | SLC NAND TYPE |
宽度: | 12 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9F2G08U0B | SAMSUNG |
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256M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F2G08U0B-P | SAMSUNG |
获取价格 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F2G08U0C | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb C-die NAND Flash | |
K9F2G08U0C-H | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb C-die NAND Flash | |
K9F2G08U0C-S | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb C-die NAND Flash | |
K9F2G08U0C-SCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX8, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 | |
K9F2G08U0C-SIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX8, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 | |
K9F2G08U0M | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY | |
K9F2G08U0M-ICB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX8, 30ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ULGA-52 | |
K9F2G08U0M-IIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX8, 30ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ULGA-52 |