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K9F2G08U0M-IIB00

更新时间： 2024-01-17 09:30:54

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	1074K
描述
Flash, 256MX8, 30ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ULGA-52

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K9F2G08U0M-IIB00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LGA	包装说明：	VBGA, LGA52(UNSPEC)
针数：	52	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.72	最长访问时间：	30 ns
其他特性：	CONTAINS ADDITIONAL 64M BIT NAND FLASH	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B52
长度：	17 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	2K
端子数量：	52	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VBGA	封装等效代码：	LGA52(UNSPEC)
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
页面大小：	2K words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	0.65 mm	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

K9F2G08U0M-IIB00 数据手册

K9K4G08U1M

K9F2G08U0M

FLASH MEMORY

K9XXG08UXM

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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K9F2G08U0M-PIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48,
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