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K7B803625M-QC10

更新时间： 2024-11-07 21:21:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	575K
描述
Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100

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K7B803625M-QC10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	10 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	83 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.26 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K7B803625M-QC10 数据手册

K7B803625M

K7B801825M

256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM

Document Title

256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

0.0

Initial draft

April. 10 . 1998

Preliminary

0.1

Change DC Characteristics.

Aug. 31. 1998

Preliminary

ISB value from 60mA to 90mA at -8

ISB value from 50mA to 80mA at -9

ISB value from 40mA to 70mA at -10

ISB1 value from 10mA to 30mA

ISB2 value from 10mA to 30mA

0.2

1. Changed tCD from 8.0ns to 8.5ns at -8

2. Changed tCYC from 13.0ns to 12.0ns at -10

3. Changed DC condition at Icc and parameters

ICC ; from 300mA to 350mA at -8,

from 260mA to 300mA at -9,

Sep. 09. 1998

Preliminary

from 220mA to 260mA at -10,

ISB ; from 90mA to 130mA at -8,

from 80mA to 120mA at -9,

from 70mA to 110mA at -10,

0.3

1. ADD 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .

2. ADD x32 organization.

Oct. 15. 1998

Preliminary

0.4

0.5

1.0

Add VDDQ Supply voltage( 2.5V )

Dec. 10. 1998

Dec. 23. 1998

Jan. 29. 1999

Preliminary

Final

Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.

1. Final Spec Release.

2. Remove x32 organization.

2.0

3.0

1. Remove VDDQ supply voltage(2.5V)

Feb. 25. 1999

Mar. 30. 1999

Final

1. Changed ICC from 350mA to 330mA at -8.

2. Add bin -7. (tCD 7.5ns).

4.0

5.0

1. Add VDDQ supply voltage(2.5V)

May. 13. 1999

Nov. 19. 1999

Final

1. Changed tCYC from 12ns to 10ns at -9.

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

November 1999

- 1 -

Rev 5.0

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