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K6R1016V1D-TI08T

更新时间： 2024-01-07 18:02:49
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 267K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44

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K6R1016V1D-TI08T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：8 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.001 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

K6R1016V1D-TI08T 数据手册

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Preliminary  
for AT&T  
CMOS SRAM  
K6R1016V1D-C/D-I/D-P  
Document Title  
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)  
Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Data  
Remark  
Rev. 0.0  
Rev. 0.1  
Rev. 0.2  
Initial document.  
Speed bin modify  
Current modify  
May. 11. 2001  
June. 18. 2001  
September. 9. 2001  
Preliminary  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any questions,  
please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Revision 0.2  
September 2001  
- 1 -  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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