5秒后页面跳转
K6F1016U4B-FF70 PDF预览

K6F1016U4B-FF70

更新时间: 2024-11-30 03:25:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 162K
描述
64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

K6F1016U4B-FF70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA48,6X8,30
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e0
长度:7 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.000001 A
最小待机电流:1.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:6 mmBase Number Matches:1

K6F1016U4B-FF70 数据手册

 浏览型号K6F1016U4B-FF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F1016U4B-FF70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6F1016U4B-FF70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F1016U4B-FF70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6F1016U4B-FF70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6F1016U4B-FF70的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary  
K6F1016U4B Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
0.0 Initial Draft  
Draft Date  
Remark  
May 2, 2000  
Preliminary  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
Revision 0.0  
May 2000  
- 1 -  

与K6F1016U4B-FF70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K6F1016U4B-FF70T SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48
K6F1016U4C-AF55 SAMSUNG

获取价格

64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F1016U4C-AF550 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-48
K6F1016U4C-AF55T SAMSUNG

获取价格

SRAM
K6F1016U4C-AF70 SAMSUNG

获取价格

64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F1016U4C-EF55 SAMSUNG

获取价格

64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F1016U4C-EF70 SAMSUNG

获取价格

64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F1016U4C-EF70T SAMSUNG

获取价格

暂无描述
K6F1016V4B-FF55 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F1016V4B-FF550 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48