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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA48,6X8,30 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小待机电流： | 1 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.022 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6F1616R6B-EF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6F1616R6C | SAMSUNG |
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1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616R6C-F | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616R6C-FF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616R6C-FF700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 |
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| K6F1616T6B | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616T6B-EF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616T6B-EF550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6F1616T6B-EF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616T6B-F | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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