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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | 最长访问时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | 长度： | 7 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6F1616T6B | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616T6B-EF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616T6B-EF550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6F1616T6B-EF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616T6B-F | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616T6B-TF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
|
| K6F1616T6B-TF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616T6B-TF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| K6F1616T6C | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F1616T6C-F | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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