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K6F1616U6C-XF70T

更新时间： 2024-10-01 09:37:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	157K
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Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48

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K6F1616U6C-XF70T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA48,6X8,30	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000015 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K6F1616U6C-XF70T 数据手册

K6F1616U6C Family

CMOS SRAM

16Mb(1M x 16 bit) Low Power SRAM

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Revision 2.0

May 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6F1616U6M	SAMSUNG	获取价格	1M x 16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F1616U6M-F	SAMSUNG	获取价格	1M x 16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F2008R2E-EF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48/36
K6F2008R2M-TC300	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 300ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K6F2008R2M-TI30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 300ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K6F2008R2M-TI300	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 300ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K6F2008S2E	SAMSUNG	获取价格	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F2008S2E-F	SAMSUNG	获取价格	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F2008S2E-YF70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32
K6F2008S2M-TC120	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

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