是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1, |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.83 | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e6 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6F2008T2G-LF700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP1-32 | |
K6F2008T2G-YF550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
K6F2008T2G-YF700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
K6F2008U2E-EF55 | SAMSUNG |
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256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | |
K6F2008U2E-EF550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-36/48 | |
K6F2008U2E-EF70 | SAMSUNG |
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256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | |
K6F2008U2E-EF700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-36/48 | |
K6F2008U2E-YF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | |
K6F2008U2E-YF550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
K6F2008U2E-YF70 | SAMSUNG |
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256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |