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K6F2008U2E-EF700

更新时间： 2024-10-01 03:31:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	175K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-36/48

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K6F2008U2E-EF700 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	36
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.82
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B36
长度：	7 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6 mm

K6F2008U2E Family

CMOS SRAM

Document Title

256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Date

February 28, 2001

Remark

0.0

1.0

2.0

Initial Draft

Finalize

Preliminary

September 27, 2001 Final

April 30, 2002 Final

Revise

- Added 48(36)-TBGA-6.00x7.00 products.

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 2.0

April 2002

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6F2008U2E-YF55	SAMSUNG	获取价格	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F2008U2E-YF550	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
K6F2008U2E-YF70	SAMSUNG	获取价格	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F2008U2E-YF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
K6F2008V2E	SAMSUNG	获取价格	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F2008V2E-LF55	SAMSUNG	获取价格	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F2008V2E-LF550	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-32
K6F2008V2E-LF70	SAMSUNG	获取价格	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F2008V2E-LF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-32
K6F2008V2E-YF55	SAMSUNG	获取价格	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM