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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 150 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6F2008T2E | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F2008T2E-F | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F2008T2E-YF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
|
| K6F2008T2E-YF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F2008T2G-LF550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP1-32 |
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| K6F2008T2G-LF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP1-32 |
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| K6F2008T2G-YF550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
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| K6F2008T2G-YF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
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| K6F2008U2E-EF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F2008U2E-EF550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-36/48 |
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