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K6F1616T6B-EF550

更新时间： 2024-09-30 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	199K
描述
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48

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K6F1616T6B-EF550 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B48
长度：	7 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

K6F1616T6B Family

CMOS SRAM

Document Title

1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial draft

May 21, 2003

Preliminary

0.1

Revised

June 17, 2003

Preliminary

Final

- Changed Isb1(max.) from 25uA to 15uA

1.0

Finalized

August 13, 2003

- Added Package Type ’48-TBGA - 7.00x7.00’

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

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Revision 1.0

August 2003

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6F1616T6B-EF70	SAMSUNG	获取价格	1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
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K6F1616T6C-FF55	SAMSUNG	获取价格	1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F1616T6C-FF550	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F1616T6C-FF70	SAMSUNG	获取价格	1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM