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K4S643232F-TL70

更新时间: 2024-11-18 22:35:31
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
12页 103K
描述
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

K4S643232F-TL70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数:86Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.89Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):143 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G86JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:86字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP86,.46,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.14 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4S643232F-TL70 数据手册

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K4S643232F  
CMOS SDRAM  
2M x 32 SDRAM  
512K x 32bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
LVTTL  
Revision 1.0  
January 2002  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 1.0 (Jan. 2002)  
- 1 -  

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