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K4S643232F-TP70

更新时间： 2024-02-06 23:10:45

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
12页	101K
描述
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL3.3V

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K4S643232F-TP70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数：	86	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	86	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP86,.46,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4S643232F-TP70 数据手册

K4S643232F-TI/P

CMOS SDRAM

2M x 32 SDRAM

512K x 32bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL(3.3V)

Industrial Temperature

86-TSOP

Revision 1.0

January 2002

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 (Jan. 2002)

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与K4S643232F-TP70相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4S643232F-TP700	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86	获取价格
K4S643232H	SAMSUNG	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification	获取价格
K4S643232H-TC/L50	SAMSUNG	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification	获取价格
K4S643232H-TC/L55	SAMSUNG	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification	获取价格
K4S643232H-TC/L60	SAMSUNG	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification	获取价格
K4S643232H-TC/L70	SAMSUNG	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification	获取价格