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K4S643232H-TC500

更新时间： 2024-11-19 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	118K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86

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K4S643232H-TC500 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP,
针数：	86	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.49	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	4.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	86
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

SDRAM 64Mb H-die (x32)

CMOS SDRAM

64Mb H-die (x32) SDRAM Specification

Revision 1.4

August 2004

*Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 August 2004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S643232H-TC55	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC550	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TC60	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC600	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TC60T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TC70	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC700	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TL50	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TL500	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TL55	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification