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K4S643232H-TC550

更新时间： 2024-11-19 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	118K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86

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K4S643232H-TC550 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP,
针数：	86	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.42	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	86
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

SDRAM 64Mb H-die (x32)

CMOS SDRAM

64Mb H-die (x32) SDRAM Specification

Revision 1.4

August 2004

*Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 August 2004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S643232H-TC60	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC600	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TC60T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TC70	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC700	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TL50	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TL500	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TL55	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TL60	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TL70	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification