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K4S643232H-TL55

更新时间: 2024-11-18 22:13:19
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三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 120K
描述
64Mb H-die (x32) SDRAM Specification

K4S643232H-TL55 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSSOP, TSSOP86,.46,20
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:5 ns最大时钟频率 (fCLK):183 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G86JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32湿度敏感等级:3
端子数量:86字数:2097152 words
字数代码:2000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP86,.46,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.16 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

K4S643232H-TL55 数据手册

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SDRAM 64Mb H-die (x32)  
CMOS SDRAM  
64Mb H-die (x32) SDRAM Specification  
Revision 1.4  
August 2004  
*Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 1.4 August 2004  
- 1 -  

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Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS
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Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS
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Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS C
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Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS
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Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS
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Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS