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K4S643232H-TL500

更新时间: 2024-11-23 15:36:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 118K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86

K4S643232H-TL500 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSSOP,
针数:86Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.49访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:4.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G86长度:22.22 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:86
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4S643232H-TL500 数据手册

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SDRAM 64Mb H-die (x32)  
CMOS SDRAM  
64Mb H-die (x32) SDRAM Specification  
Revision 1.4  
August 2004  
*Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 1.4 August 2004  
- 1 -  

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Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS
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Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS C
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