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K4S643232F-TP700

更新时间： 2024-11-19 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	99K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86

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K4S643232F-TP700 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP,	针数：	86
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.31
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G86
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	86	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4S643232F-TI/P

CMOS SDRAM

2M x 32 SDRAM

512K x 32bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL(3.3V)

Industrial Temperature

86-TSOP

Revision 1.0

January 2002

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 (Jan. 2002)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S643232H	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC/L50	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC/L55	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC/L60	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC/L70	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC50	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC500	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TC55	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification
K4S643232H-TC550	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
K4S643232H-TC60	SAMSUNG	获取价格	64Mb H-die (x32) SDRAM Specification