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K4S643232F-TL70

更新时间： 2024-01-22 04:40:16

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
12页	103K
描述
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

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K4S643232F-TL70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数：	86	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	86	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP86,.46,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4S643232F-TL70 数据手册

K4S643232F

CMOS SDRAM

DC CHARACTERISTICS

(Recommended operating condition unless otherwise noted, TA = 0 to 70°C, VIH(min)/VIL(max)=2.0V/0.8V)

Speed

-45 -50 -55 -60 -70

CAS

Latency

Parameter

Symbol

Test Condition

Unit Note

140 140 140

130 130

Operating Current

(One Bank Active)

Burst Length =1

ICC1

tRC ³ tRC(min), tCC ³ tCC(min), Io = 0mA

110

ICC2P

CKE £ VIL(max), tCC = 15ns

Precharge Standby Current in

power-down mode

ICC2PS

CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥

CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 15ns

ICC2N

Input signals are changed one time during 30ns

Precharge Standby Current

in non power-down mode

CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥

Input signals are stable

ICC2NS

ICC3P

CKE £ VIL(max), tCC = 15ns

CKE £ VIL(max), tCC = ¥

Active Standby Current

in power-down mode

ICC3PS

CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 15ns

Input signals are changed one time during 30ns

ICC3N

Active Standby Current

in non power-down mode

(One Bank Active)

CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥

Input signals are stable

ICC3NS

180 170 160

150 140

140 120

Operating Current

(Burst Mode)

Io = 0 mA, Page Burst

All bank Activated, tCCD = tCCD(min)

ICC4

ICC5

ICC6

120

150 150 150

Refresh Current

tRC ³ tRC(min)

CKE £ 0.2V

120

Self Refresh Current

450

Notes :

1. Unless otherwise notes, Input level is CMOS(VIH/VIL=VDDQ/VSSQ) in LVTTL.

2. Measured with outputs open.

3. Refresh period is 64ms.

4. K4S643232F-TC**

5. K4S643232F-TL**

Rev. 1.0 (Jan. 2002)

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