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K4R571669D-FCK80

更新时间： 2024-11-29 14:51:47

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K4R571669D-FCK80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	92
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B92	长度：	15.1 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	92
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.08 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	9.3 mm
Base Number Matches：	1

™

K4R571669D/K4R881869D

Direct RDRAM

256/288Mbit RDRAM^(D-die)

512K x 16/18bit x 32s banks

Direct RDRAM^TM

Version 1.4

July 2002

Version 1.4 July 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R571669D-FCM8	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 40ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCM80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCM9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN10	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCS90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCT9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCT90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669E-GCK80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84