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K4R571669E-GCK80

更新时间： 2024-11-29 19:38:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	308K
描述
Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84

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K4R571669E-GCK80 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	84	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
JESD-609代码：	e1	长度：	13.5 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	9.3 mm
Base Number Matches：	1

™

K4R571669E

Direct RDRAM

256Mbit RDRAM^(E-die)

512K x 16bit x 32s banks

Direct RDRAM^TM

Version 1.4

January 2004

Version 1.4 Jan. 2004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R571669E-GCM8	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 40ns, CMOS, PBGA84
K4R571669E-GCM80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84
K4R571669E-GCN1	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA84
K4R571669E-GCN10	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84
K4R571669E-GCT9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA84
K4R571669E-GCT90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84
K4R761869A-F	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FBCCN1	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCM8	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCM80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92