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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, | 针数： | 92 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 其他特性： | SELF CONTAINED REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B92 | 长度： | 15.1 mm |
| 内存密度： | 603979776 bit | 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 92 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 32MX18 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.37 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 13.4 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4R761869A-FCM9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92 |
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| K4R761869A-FCN1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, 32ns, CMOS, PBGA92 |
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| K4R761869A-FCN9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92 |
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| K4R761869A-FCS9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92 |
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| K4R761869A-FCT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R761869A-FCT90 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92 |
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| K4R761869A-GCM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R761869A-GCM80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92 |
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| K4R761869A-GCN1 | SAMSUNG |
获取价格 |
576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R761869A-GCN10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92 |
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