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K4R761869A-GCN10

更新时间： 2024-11-30 07:29:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	313K
描述
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92

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K4R761869A-GCN10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	92
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B92	长度：	15.1 mm
内存密度：	603979776 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	92	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	32MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13.4 mm

™

K4R761869A

Direct RDRAM

576Mbit RDRAM^(A-die)

1M x 18bit x 32s banks

Direct RDRAM^TM

Version 1.41

January 2004

Page -1

Version 1.41 Jan. 2004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R761869A-GCT9	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R881869	SAMSUNG	获取价格	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R881869A-FCT9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R881869D	SAMSUNG	获取价格	256/288Mbit RDRAM(D-die)
K4R881869D-FCK8	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R881869D-FCK80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R881869D-FCM8	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R881869D-FCM80	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4R881869D-FCM9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX18, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R881869D-FCN10	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92