5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA92,10X18,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 45 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 800 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B92 |
| 内存密度： | 301989888 bit | 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 92 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 组织： | 16MX18 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA92,10X18,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.58 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4R881869E-GCM80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92 |
|
| K4R881869E-GCN1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 16MX18, 32ns, CMOS, PBGA92 |
|
| K4R881869E-GCN10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92 |
|
| K4R881869E-GCT90 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92 |
|
| K4R881869E-GCT9000 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 16MX18, 32ns, CMOS, PBGA92 |
|
| K4R881869I-DC | SAMSUNG |
获取价格 |
Direct RDRAM Product Guide |
|
| K4R881869M | SAMSUNG |
获取价格 |
288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
|
| K4R881869M-NBCCG6 | SAMSUNG |
获取价格 |
288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
|
| K4R881869M-NCK7 | SAMSUNG |
获取价格 |
288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
|
| K4R881869M-NCK7T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
