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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4R881869M | SAMSUNG |
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| K4R881869M-NBCCG6 | SAMSUNG |
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| K4R881869M-NCK7 | SAMSUNG |
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| K4R881869M-NCK7T | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| K4R881869M-NCK8 | SAMSUNG |
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| K4R881869M-NCK8T | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92 |
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| K4S160822D | SAMSUNG |
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2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S160822DT-F10 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 2MX8, 7ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 |
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| K4S160822DT-F7 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 |
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| K4S160822DT-FH | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 |
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