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K4S161622D-TC70

更新时间: 2024-11-30 15:36:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 1125K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50

K4S161622D-TC70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP50,.46,32
针数:50Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.83访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):143 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G50
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.14 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4S161622D-TC70 数据手册

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K4S161622D  
CMOS SDRAM  
1M x 16 SDRAM  
512K x 16bit x 2 Banks  
Synchronous DRAM  
LVTTL  
Revision 1.5  
September 2000  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev 1.5 Sep. '00  

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