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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP50,.46,32 |
| 针数： | 50 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.9 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20.95 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 50 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP50,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 2048 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.115 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S161622E-TI55 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50 |
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| K4S161622E-TI60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50 |
|
| K4S161622E-TI70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50 |
|
| K4S161622E-TI80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50 |
|
| K4S161622H | SAMSUNG |
获取价格 |
16Mb H-die SDRAM Specification |
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| K4S161622H-TC100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50 |
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| K4S161622H-TC55 | SAMSUNG |
获取价格 |
16Mb H-die SDRAM Specification |
|
| K4S161622H-TC550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
|
| K4S161622H-TC60 | SAMSUNG |
获取价格 |
16Mb H-die SDRAM Specification |
|
| K4S161622H-TC600 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
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