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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | SOP, |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256MX4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S1G0632M-TC1L | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 256MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S1G0632M-TC1L0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 256MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S1G0632M-TC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 256MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S1G0732B | SAMSUNG |
获取价格 |
SDRAM stacked 1Gb B-die |
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| K4S1G0732B-TC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
SDRAM stacked 1Gb B-die |
|
| K4S1G0732D-UC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 128MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S1G0732D-UC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, ROHS COMPLIANT, STACKED, TSOP2-54 |
|
| K4S1G0732D-UC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 128MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS CO |
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| K4S280432A | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S280432A-TC/L10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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