Datasheet > K4S161622E-TC55

K4S161622E-TC55

更新时间： 2024-11-29 22:10:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器
页数	文件大小	规格书
42页	674K
描述
1M x 16 SDRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4S161622E-TC55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.9	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	183 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4S161622E-TC55 数据手册

K4S161622E

CMOS SDRAM

1M x 16 SDRAM

512K x 16bit x 2 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL

Revision 1.1

Jan 2003

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev 1.1 Jan '03

12 3 4 5 6 7...42

中文翻译

下载PDF

与K4S161622E-TC55相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S161622E-TC60	SAMSUNG	获取价格	1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC60T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50
K4S161622E-TC70	SAMSUNG	获取价格	1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50
K4S161622E-TC80	SAMSUNG	获取价格	1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC80T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50
K4S161622E-TE60	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50
K4S161622E-TE70	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50
K4S161622E-TI10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50
K4S161622E-TI55	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50