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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA92,10X18,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 45 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 800 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B92 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 301989888 bit | 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度： | 18 | 端子数量： | 92 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 组织： | 16MX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA92,10X18,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 电源： | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | DRAMs |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S160822D | SAMSUNG |
获取价格 |
2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S160822DT-F10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX8, 7ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 |
|
| K4S160822DT-F7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 |
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| K4S160822DT-FH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 |
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| K4S160822DT-FL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 |
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| K4S160822DT-G/F10 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S160822DT-G/F7 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S160822DT-G/F8 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S160822DT-G/FH | SAMSUNG |
获取价格 |
2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S160822DT-G/FL | SAMSUNG |
获取价格 |
2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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