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K4S160822DT-G7

更新时间： 2024-11-30 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	1183K
描述
Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44

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K4S160822DT-G7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4S160822DT-G7 数据手册

K4S160822D

CMOS SDRAM

2Mx8 SDRAM

1M x 8bit x 2 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL

Revision 1.0

October 1999

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 (Oct. 1999)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S160822DT-GH	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44
K4S160822DT-GL	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
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