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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA92,10X18,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 32 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1066 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B92 | 内存密度： | 301989888 bit |
| 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM | 内存宽度： | 18 |
| 端子数量： | 92 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 组织： | 16MX18 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA92,10X18,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源： | 1.8/2.5,2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.75 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4R881869I-DC | SAMSUNG |
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Direct RDRAM Product Guide |
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| K4R881869M | SAMSUNG |
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| K4R881869M-NBCCG6 | SAMSUNG |
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| K4R881869M-NCK7 | SAMSUNG |
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| K4R881869M-NCK7T | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| K4R881869M-NCK8 | SAMSUNG |
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| K4R881869M-NCK8T | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92 |
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| K4S160822D | SAMSUNG |
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2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S160822DT-F10 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 2MX8, 7ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 |
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| K4S160822DT-F7 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 |
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