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K4R881869E-GCT90

更新时间： 2024-11-29 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	313K
描述
Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92

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K4R881869E-GCT90 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	92	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.84	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B92
JESD-609代码：	e1	长度：	15.1 mm
内存密度：	301989888 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	92	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	16MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	9.3 mm
Base Number Matches：	1

™

K4R881869E

Direct RDRAM

288Mbit RDRAM^(E-die)

512K x 18bit x 32s banks

Direct RDRAM^TM

Version 1.4

Dec. 2003

Version 1.4 Dec. 2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R881869E-GCT9000	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX18, 32ns, CMOS, PBGA92
K4R881869I-DC	SAMSUNG	获取价格	Direct RDRAM Product Guide
K4R881869M	SAMSUNG	获取价格	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R881869M-NBCCG6	SAMSUNG	获取价格	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R881869M-NCK7	SAMSUNG	获取价格	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R881869M-NCK7T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4R881869M-NCK8	SAMSUNG	获取价格	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R881869M-NCK8T	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92
K4S160822D	SAMSUNG	获取价格	2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S160822DT-F10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX8, 7ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44