是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA92,10X18,32 |
针数: | 92 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | SELF CONTAINED REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B92 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15.1 mm |
内存密度: | 603979776 bit | 内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 92 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最低工作温度: | |
组织: | 32MX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA92,10X18,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.8/2.5,2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.08 mm | 自我刷新: | YES |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.37 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 13.4 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4R761869A-FCT9 | SAMSUNG |
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576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM | |
K4R761869A-FCT90 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92 | |
K4R761869A-GCM8 | SAMSUNG |
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576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM | |
K4R761869A-GCM80 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92 | |
K4R761869A-GCN1 | SAMSUNG |
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576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM | |
K4R761869A-GCN10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92 | |
K4R761869A-GCT9 | SAMSUNG |
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576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM | |
K4R881869 | SAMSUNG |
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM | |
K4R881869A-FCT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92 | |
K4R881869D | SAMSUNG |
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256/288Mbit RDRAM(D-die) |