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K4R761869A-FCS9

更新时间: 2024-11-29 18:58:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 158K
描述
Rambus DRAM, 32MX18, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92

K4R761869A-FCS9 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA92,10X18,32
针数:92Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.92访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间:35 ns其他特性:SELF CONTAINED REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B92
JESD-609代码:e0长度:15.1 mm
内存密度:603979776 bit内存集成电路类型:RAMBUS DRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:92
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最低工作温度:
组织:32MX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA92,10X18,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8/2.5,2.5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.08 mm自我刷新:YES
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.37 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:13.4 mm
Base Number Matches:1

K4R761869A-FCS9 数据手册

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Preliminary  
Direct RDRAM™  
K4R521669A  
/K4R761869A for short channel 1066 MHz  
512/576Mbit RDRAM(A-die)  
1M x 16/18bit x 32s banks  
Short channel Direct RDRAMTM  
Version 1.4  
July 2002  
Version 1.4 July 2002  

与K4R761869A-FCS9相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4R761869A-FCT9 SAMSUNG

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Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92
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576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-GCM80 SAMSUNG

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Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92
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576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-GCN10 SAMSUNG

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Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92
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288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
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Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R881869D SAMSUNG

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256/288Mbit RDRAM(D-die)