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K4R761869A-FCM9

更新时间： 2024-11-29 19:17:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	160K
描述
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92

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K4R761869A-FCM9 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	92
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B92	长度：	15.1 mm
内存密度：	603979776 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	92
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	32MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.08 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	13.4 mm
Base Number Matches：	1

Preliminary

K4R521669A/K4R761869A

Direct RDRAM^™

512/576Mbit RDRAM(A-die)

1M x 16/18bit x 32s banks

Direct RDRAM^TM

Version 1.4

July 2002

Version 1.4 July 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R761869A-FCN1	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 32MX18, 32ns, CMOS, PBGA92
K4R761869A-FCN9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92
K4R761869A-FCS9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 32MX18, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R761869A-FCT9	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCT90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R761869A-GCM8	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-GCM80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92
K4R761869A-GCN1	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-GCN10	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92
K4R761869A-GCT9	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM