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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA84,10X16,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 32 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 1066 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 组织： | 16MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA84,10X16,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | DRAMs |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4R571669E-GCT90 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84 |
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| K4R761869A-F | SAMSUNG |
获取价格 |
576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R761869A-FBCCN1 | SAMSUNG |
获取价格 |
576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R761869A-FCM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R761869A-FCM80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92 |
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| K4R761869A-FCM9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92 |
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| K4R761869A-FCN1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, 32ns, CMOS, PBGA92 |
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| K4R761869A-FCN9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92 |
|
| K4R761869A-FCS9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX18, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92 |
|
| K4R761869A-FCT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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